IRFS38N20DTRRP
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRFS38N20DTRRP |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 26A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 43A (Tc) |
IRFS38N20DTRRP Einzelheiten PDF [English] | IRFS38N20DTRRP PDF - EN.pdf |
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2024/04/14
2024/04/4
2024/11/13
IRFS38N20DTRRPInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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